कार्बन इलेक्ट्रोड में टंगस्टन ऑक्साइड नैनोकण योजक के उपयोग से कार्बन-आधारित मेसोस्कोपिक पेरोव्स्काइट सौर कोशिकाओं की दक्षता में वृद्धि - सौर ऊर्जा यातायात लाइटें

इस शोधपत्र में कार्बन टॉप इलेक्ट्रोड में एम्बेडेड नैनो-टंगस्टन कणों वाले पेरोव्स्काइट सौर सेल का परिचय दिया गया है।
एक अकार्बनिक छिद्र के रूप में-
परिवहन सामग्री (एचटीएम)
छेदों को बढ़ावा देना-
दक्षता, विद्युत प्रतिबाधा और बाह्य क्वांटम दक्षता मापों के माध्यम से पेरोवस्काइट/कार्बन इंटरफ़ेस के निष्कर्षण का पता चलता है।
इसलिए, ऊर्जा रूपांतरण दक्षता 10 की ऊर्जा रूपांतरण दक्षता वाले संदर्भ उपकरण की तुलना में ऊर्जा रूपांतरण दक्षता में 40% की वृद्धि हुई है।
मानक परिस्थितियों में 77%।
इसके अलावा, ली-
TFSI इलेक्ट्रॉनिक को संशोधित कर सकता है-
परिवहन सामग्री (ईटीएम)
ऐसे यौगिक जो टीएम/पेरोवस्काइट इंटरफ़ेस में पुनर्संयोजन को बाधित कर सकते हैं।
संशोधित उपकरणों का Li-VOC
TFSI 887.9 से बढ़कर 934.2 mV हो गया।
यह शोध कार्बन के प्रभावी प्रदर्शन के निहितार्थों पर प्रकाश डालता है।
एचटीएम और इंटरफेस में संशोधन करके, मेसोस्कोपिक पर आधारित पीएससी स्थापित किए गए।
दुनिया अब सस्ती और स्वच्छ ऊर्जा के वैकल्पिक तरीकों के लिए नई रणनीतियां खोजने की नाजुक स्थिति में है।
सौर ऊर्जा का रूपांतरण विश्व की ऊर्जा आवश्यकताओं को पूरा करने के समाधानों में से एक है।
क्रिस्टलीय प्रकार के सौर सेल (PSCs)
लेड हैलोजन पर आधारित पेरोवस्काइट (उदाहरण के लिए, CHNHPbI)
कम लागत और उच्च दक्षता के कारण, फोटोवोल्टाइक उद्योग ने हाल ही में काफी ध्यान आकर्षित किया है।
विद्युत रूपांतरण दक्षता (पीसीई)
इन उपकरणों में लगभग 4 की वृद्धि हुई है। 0% से 23.3% तक।
अधिकांश मामलों में, सर्वोत्तम प्रदर्शन वाले पीएससी महंगे धातु बैक इलेक्ट्रोड जैसे कि एजी और एयू के वाष्पीकरण पर आधारित होते हैं क्योंकि उनमें उत्कृष्ट चालकता और परावर्तकता होती है।
इतने महंगे धातु के इलेक्ट्रोड का उपयोग करने के लिए ऊर्जा की आवश्यकता होती है।
उन्नत वैक्यूम
पर्यावरणीय परिस्थितियों के तहत वाष्पीकरण प्रौद्योगिकी और व्यवधान।
इसके अलावा, Ag हैलोजन जड़ों के साथ तीव्र प्रतिक्रियात्मक गतिविधि प्रदर्शित करता है, और Au पेरोव्स्काइट परत में मिश्रित हो सकता है, जिसके परिणामस्वरूप उपकरण का क्षरण होता है, जो उनकी दीर्घकालिक कार्यक्षमता को और बाधित करेगा।
दीर्घकालिक उपयोग और बड़े पैमाने पर वाणिज्यिक उपयोग।
कार्बन, एक वैकल्पिक समृद्ध स्रोत के रूप में, लागतों को प्रतिस्थापित करने का सस्ता और सुविधाजनक तरीका स्पष्ट करता है।
पीएससी में प्रभावी धातु बैक इलेक्ट्रोड।
कार्बन और इसके मिश्रित पदार्थों में ऑक्सीकरण प्रतिरोध/प्रतिक्रियाशीलता के रासायनिक गुण होते हैं और इन्हें थोक में या निरंतर रोलिंग-टू-रोलर प्रसंस्करण में मुद्रित किया जा सकता है।
हान और उनके सहयोगियों ने छेद में कार्बन इलेक्ट्रोड की जांच की।
परिवहन सामग्री मुक्त (एचटीएम-मुक्त)
TiO/ZrO/C विन्यास वाले PSCs प्राप्त किए गए 6.
विद्युत रूपांतरण दर 64% (PCE)।
इस कार्बन से बनी कृतियों की एक श्रृंखला
विभिन्न शोधकर्ताओं ने इलेक्ट्रोड-आधारित अनुसंधान की रिपोर्ट प्रस्तुत की है।
फिर भी, अधिकांश अध्ययन पेरोवस्काइट के क्रिस्टल और एचटीएम पर केंद्रित हैं।
कार्बन इलेक्ट्रोड वाले 15% तक मुफ्त PSCs।
इसके अलावा, एचटीएम मुक्त कार्बन के प्रदर्शन में सुधार के प्रयास किए जा रहे हैं।
पीएससी-आधारित तकनीक का विस्तार इलेक्ट्रॉनिक्स जैसे व्यापक क्षेत्र में किया गया है।
परिवहन सामग्री (ईटीएम)
इसका इंटरफ़ेस, कार्बन इलेक्ट्रोड की संरचना, और यहां तक ​​कि पी-
HTM मुक्त PSC में टाइप सामग्री।
एचटीएम और अन्य स्पाइरलओएमईटीएडी [2,2′,7,7′-टेट्राकिस(एन,एन-डाई-पी-मेथॉक्सीफेनिल-एमीन)9,9′-स्पाइरो-बिफ्लुओरीन]पॉलिमर-आधारित पॉली(ट्राइएरिलामाइन)(पीटीएए) की लागत के कारण
बड़े उद्यमों के लिए बहुत अधिक
बड़े पैमाने पर अनुप्रयोग, जैविक एचटीएम या उनके घटक स्पष्ट रूप से दीर्घकालिक सफलता के मुख्य कारक हैं।
इनके साथ उपयोग किए जाने वाले पीएससी की अवधि संचालन और तापीय अस्थिरता, एचटीएम-
मुफ्त PSCs एक आकर्षक विकल्प बन गए हैं।
हालाँकि, "एचटीएम-
मुक्त दृष्टिकोण इन लागतों और अस्थिरता की समस्याओं, और कार्बन उत्सर्जन को हल करने का एकमात्र तरीका नहीं है।
मेसोस्कोपिक पर आधारित पीएससी को "एचटीएम-मुक्त" तक सीमित नहीं रखा जाना चाहिए।
कार्बन के लिए CuSCN, NiO जैसी सस्ती अकार्बनिक छिद्र निष्कर्षण परतों का भी उपयोग किया जा सकता है।
इन प्रश्नों के लिए ऑर्गेनिक एचटीएम।
हाल ही में, कार्बन में अकार्बनिक एचटीएम के रूप में NiO नैनोकणों को शामिल किया गया है।
पीएससी आधारित दक्षता 17% के साथ उच्चतम स्तर पर थी।
हालांकि कार्बन में एचटीएम (एनआईओ) का परिचय-
कुछ साल पहले, पीएससी-आधारित उपकरण संरचना का प्रस्ताव रखा गया था, जिसमें फोटोवोल्टाइक क्षेत्र में कुछ ही विकल्प शामिल थे।
इस अध्ययन में, हमने परिचय दिया
निष्कर्षण सामग्री टंगस्टन ऑक्साइड (WO)
कार्बन आधारित पीएससी को बेहतर बनाने के लिए रिवर्स इलेक्ट्रोड के लिए कार्बन पेस्ट तैयार करने में इसका उपयोग किया जाता है।
इसके अलावा, हमने लिथियम बिस् (
ट्राइफ्लोराइड और सल्फर-आधारित इमाइड (Li-TFSI)
एमपी को संशोधित करें-
परत की सतह, जो खुलने को काफी हद तक प्रभावित कर सकती है-
परिपथ वोल्टेज (Voc)
Li जैसी कोशिकाएँ-
TFSI, mt और पेरोव्स्काइट के बीच के इंटरफ़ेस को बदल सकता है, जिससे कंपोजिट के केंद्र के रूप में कार्य करने वाले गहरे ट्रैप की संख्या कम हो सकती है और mt/पेरोव्स्काइट इंटरफ़ेस के संकुचन को दबाया जा सकता है, जिससे ओपन सर्किट वोल्टेज बढ़ जाता है।
इसलिए, एडिटिव WO नैनोकणों और Li- के परिचय के साथ
टीएफएसआई, कार्बन का औसत पीसीई
आधार पीएससी 7% से बढ़कर 10% हो गया, जिसमें से वी 886 से बढ़कर 931 हो गया, अधिकतम पीसीई 10 के साथ 8% प्राप्त करें।
इससे पता चलता है कि कार्बन के प्रदर्शन को और बेहतर बनाने की अपार संभावनाएं हैं।